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元件参数资料
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参数目录33738
> PBSS5130T,215 TRANS PNP 30V 1A SOT23
型号:
PBSS5130T,215
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS PNP 30V 1A SOT23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
PBSS5130T,215 PDF
产品目录绘图
SOT-23 Package Top
特色产品
NXP - I2C Interface
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
225mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
260 @ 500mA,2V
功率 - 最大
480mW
频率 - 转换
200MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
TO-236AB
包装
标准包装
产品目录页面
1504 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-4346-6
查看PBSS5130T,215代理商
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